Логин:
Пароль:

Работа №981
Название работы
Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими акцепторными уровнями базовый материал для детекторов заряженных частиц.
Автор работы
Хлудков Станислав Степанович
Дата начала работы Дата окончания работы
2001-01-01 2002-12-31
Аннотация
Цель работы: решение фундаментальной проблемы,связанной с созданием полупроводниковых детекторов заряженных частиц,способных работать длительное время в радиационных полях до достиженияинтегральных потоков 1015 частиц/см2, актуально в связи с исчерпаниемвозможностей кремниевых детекторов в этом плане. Целью данного проектаявляется создание координатных детекторов заряженных частиц на основеарсенида галлия, компенсированного акцепторными примесями с глубокимиуровнями. Для достижения поставленной цели необходимо решить ряд задач:разработать технологию изготовления детекторного материала, изготовитьполупроводниковые структуры для регистрации заряженных частиц;исследовать электрофизические характеристики полупроводниковогоматериала и закономерности сбора заряда; исследовать особенноститранспорта носителей заряда в компенсированном GaAs, изготовить опытныеобразцы детекторов. Основным содержанием работы является определениеоптимальных условий формирования толстых высокоомных слоев GaAs:Cr.Отработка оптимальных условий ведется на базе исследованийэлектрофизических характеристик высокоомных слоев, электрическиххарактеристик диодных структур для датчиков заряженных частиц, оценкиэффективности сбора заряда структурами с высокоомной базой.
Тип НИР Источник финансирования Объем финансирования Вид работы
Получить полный доступ Получить полный доступ Получить полный доступ Получить полный доступ
Заказчик
Получить полный доступ
ГРНТИ УДК Инвентарный номер Госшифр Госконтракт Договор
Получить полный доступ Получить полный доступ Получить полный доступ Получить полный доступ Получить полный доступ Получить полный доступ
Ключевые слова
Предполагаемый результат работы
Получить полный доступ
Организации соисполнители
Получить полный доступ
Государственный учет результатов НИОКР в БД РНТД Минобрнауки РФ
Получить полный доступ
Основание к регистрации темы (электронный вариант)
Только для служебного пользования
   
2007 © ОНТИ НУ ТГУ
E-mail: onti@sun.lib.tsu.ru
Тел: 52-76-99