Логин:
Пароль:

Работа №385
Название работы
Влияние условий кристаллизации на формирование эшелонов ступеней и центров роста при газофазной и молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений А3В5
Автор работы
Ивонин Иван Варфоломеевич
Дата начала работы Дата окончания работы
2005-01-01 2007-12-31
Аннотация
Цель работы: с применением расчетных и экспериментальных методов изучить элементарные процессы на поверхности при газофазовой эпитаксии полупроводниковых соединений III-V.Влияние условий кристаллизации на формирование эшелонов ступеней и центров роста при газофазной и молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений А3В5
Тип НИР Источник финансирования Объем финансирования Вид работы
Получить полный доступ Получить полный доступ Получить полный доступ Получить полный доступ
Заказчик
Получить полный доступ
ГРНТИ УДК Инвентарный номер Госшифр Госконтракт Договор
Получить полный доступ Получить полный доступ Получить полный доступ Получить полный доступ Получить полный доступ Получить полный доступ
Ключевые слова
Предполагаемый результат работы
Получить полный доступ
Организации соисполнители
Получить полный доступ
Государственный учет результатов НИОКР в БД РНТД Минобрнауки РФ
Получить полный доступ
Основание к регистрации темы (электронный вариант)
Только для служебного пользования
   
2007 © ОНТИ НУ ТГУ
E-mail: onti@sun.lib.tsu.ru
Тел: 52-76-99