Логин:
Пароль:

Работа №3116
Название работы
ЗАДАНИЕ на выполнение работы 'Организация проведения научных исследований' № 3.7660.2017/ВУ
Автор работы
Брудный Валентин Натанович
Дата начала работы Дата окончания работы
2017-01-01 2019-12-31
Аннотация
Цель работы – разработка общей программы научной деятельности и подготовки кадров высшей квалификации в НОЦ «Наноэлектроника» на период 2017-2019 годы. Планируемая научная деятельность включает экспериментальное и теоретическое исследование дефектов кристаллической решетки в полупроводниках и полупроводниковых структурах и влияние этих дефектов на характеристики материала и приборов на их основе. Универсальным параметром таких исследований выступает собственный уровень зарядовой электронейтральности (локальный электронный химпотенциал) кристалла, который определяет условия электронно-дырочного равновесия для носителей заряда, захваченных на щелевые состояния в кристалле. Общим планом работ предусматривается развитие и применение принципа зарядовой электронейтральности при исследованиях дефектов и границ раздела в одноосных оптических кристаллах групп III-N, IIIV-V2 и III-VI широко используемых в оптоэлектронике при производстве светодиодов, лазеров и UP – конвекторы оптического излучения. Научное руководство и подготовка кадров высшей квалификации включает чтение лекционных курсов, проведение практических занятий для бакалавров и магистрантов в соответствии с программой кафедры физики полупроводников физического факультета ТГУ, руководство выпускными бакалаврскими и магистерскими работами и научной работой аспирантов ФФ ТГУ, защита не менее двух кандидатских диссертаций, модернизацию трех учебных курсов и издание шести методических пособий, подготовка и публикация не менее 12 статей в зарубежных и российских журналах с высоким импакт-фактором и обобщение результатов исследований в двух монографиях.
Тип НИР Источник финансирования Объем финансирования Вид работы
Получить полный доступ Получить полный доступ Получить полный доступ Получить полный доступ
Заказчик
Получить полный доступ
ГРНТИ УДК Инвентарный номер Госшифр Госконтракт Договор
Получить полный доступ Получить полный доступ Получить полный доступ Получить полный доступ Получить полный доступ Получить полный доступ
Ключевые слова
дефекты в полупроводниках, зарядовая электронейтральность в полупроводниках, релаксационные полупроводники, физические основы микроэлектроники, сильнолегированные полупроводники; облученные, неупорядоченные, жидкие полупроводники; полупроводниковые стекла
Предполагаемый результат работы
Получить полный доступ
Организации соисполнители
Получить полный доступ
Государственный учет результатов НИОКР в БД РНТД Минобрнауки РФ
Получить полный доступ
Основание к регистрации темы (электронный вариант)
Только для служебного пользования
   
2007 © ОНТИ НУ ТГУ
E-mail: onti@sun.lib.tsu.ru
Тел: 52-76-99