Логин:
Пароль:

Работа №2346
Название работы
Исследование влияния транспорта неравновесных носителей заряда на интегральную интенсивность фотолюминесценции светодиодных гетероструктур AlGaN/GaN/InGaN
Автор работы
Романов Иван Сергеевич
Дата начала работы Дата окончания работы
2014-01-01 2015-12-31
Аннотация
Цель работы: построение физической модели, учитывающей особенности транспорта неравновесных носителей заряда и рекомбинационных процессов, и учет их влияния на результаты определения внутреннего квантового выхода светодиодных структур на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN. В настоящей работе планируется проведение измерений интегральной интенсивности фотолюминесценции в широком интервале температур (10–300 К) и мощностей накачки при разных условиях транспорта неравновесных носителей заряда. В результате работы будет предложена методика определения внутреннего квантового выхода светодиодных структур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN с учетом особенностей транспорта неравновесных носителей заряда и рекомбинационных процессов в квантово-размерных структурах. Установлен диапазон температур и плотностей мощности накачки, для которых наблюдается аномальный рост интегральной интенсивности фотолюминесценции. Установлены механизмы транспорта носителей заряда и рекомбинационные процессы, ответственные за аномальный рост интегральной интенсивности фотолюминесценции.
Тип НИР Источник финансирования Объем финансирования Вид работы
Получить полный доступ Получить полный доступ Получить полный доступ Получить полный доступ
Заказчик
Получить полный доступ
ГРНТИ УДК Инвентарный номер Госшифр Госконтракт Договор
Получить полный доступ Получить полный доступ Получить полный доступ Получить полный доступ Получить полный доступ Получить полный доступ
Ключевые слова
СВЕТОДИОДНАЯ СТРУКТУРА, НИТРИД ГАЛЛИЯ, ТРАНСПОРТ НЕРАВНОВЕСНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА, ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ
Предполагаемый результат работы
Получить полный доступ
Организации соисполнители
Получить полный доступ
Государственный учет результатов НИОКР в БД РНТД Минобрнауки РФ
Получить полный доступ
Основание к регистрации темы (электронный вариант)
Только для служебного пользования
   
2007 © ОНТИ НУ ТГУ
E-mail: onti@sun.lib.tsu.ru
Тел: 52-76-99