Логин:
Пароль:

Работа №2264
Название работы
Радиационно-стойкие светодиоды AlGaInP с множественными квантовыми ямами
Автор работы
Брудный Валентин Натанович
Дата начала работы Дата окончания работы
2013-07-01 2013-10-31
Аннотация
Целью проекта является исследование и разработка высокоэффективных и радиационно-стойких светодиодных гетероструктур AlGaInP видимого диапазона, выращенных с использованием эпитаксии металлорганических соединений (МОСГФЭ) на согласованной подложке GaAs. Светодиодные структуры AlGaInP обладают высокой излучательной эффективностью в видимой области спектра, что обеспечивает их использование в системах отражения информации, индикации и т.п.. Одна из областей их применения является околоземное пространство, где такие структуры подвергаются воздействию жесткого излучения, что приводит к образованию в кристаллической решетке полупроводника радиационных дефектов (РД) которые выступают как центры безызлучательной рекомбинации. Это вызывает изменение характеристик светодиодных структур и, прежде всего, приводит к «гашению» излучательной эффективности светодиода, что ограничивает сроки эксплуатации таких структур в полях ионизирующих излучений. Исследования направлены на выявление потенциальных возможностей повышения радиационной стойкости «красных» и «желтых» светодиодных гетероструктур AlGaInP/GaAs с распределенным зеркалом Брэгга AlGaAs/AlGaAs.
Тип НИР Источник финансирования Объем финансирования Вид работы
ФЦП 1004000 Министерство образования и науки Российской Федерации Прикладная
Промежуточный реферат №1
ОТЧЕТ О ПАТЕНТНЫХ ИССЛЕДОВАНИЯХ Выполненные патентные исследования в полной мере соответствуют заданию на их проведение. Перечень найденных технических решений в достаточной полноте отражает тематику, относящуюся к разработке формируемого методом МОСГФЭ радиационно-стойкого светодиода AlGaInP с множественными квантовыми ямами, оценке возможности правовой охраны технических решений, связанных с разрабатываемым радиационно-стойким светодиодом AlGaInP с множественными квантовыми ямами. Выбранные рубрики МПК, в отношении которых был произведен поиск, количество отобранных технических решений, а также ретроспективность поиска (глубина составила 13 лет), обеспечили достоверность оценки развития области техники, имеющей отношение к формируемому методом МОСГФЭ радиационно-стойкому светодиоду AlGaInP с множественными квантовыми ямами, позволили определить оптимальные пути создания его, а также оценить возможности правовой охраны технических решений, связанных с его разработкой – «Способа изготовления светодиодов «желтого» или «красного» цветов с активной областью, содержащей множественные квантовые ямы, - (AlхGa1-х)0,5In0,5P и с внутренним отражателем на основе зеркала Брэгга», сделать выбор правовой охраны в пользу ноу-хау. Проведенные патентные исследования показали, что разрабатываемый объект является технически перспективным. При успешном завершении проекта, проведении ОКР, целесообразно производственное внедрение. Последнее предполагает соответствие объектов условию патентной чистоты, а в случае отсутствия соблюдения указанного условия – разработку и принятие соответствующих мер, обеспечивающих патентную чистоту, или приобретение лицензий. В связи с этим, на последующих этапах выполнения работы необходимы патентные исследования в рамках экспертизы на патентную чистоту.
Инвентарный номер отчета (ИК): 02201361251 Дата регистрации ИК: 2013-08-29
Промежуточный реферат №2
ОТЧЕТ О ПАТЕНТНЫХ ИССЛЕДОВАНИЯХ В результате проведения проверки на патентную чистоту формируемого методом МОСГФЭ радиационно-стойкого светодиода AlGaInP с множественными квантовыми ямами – способа изготовления светодиодов «желтого» и «красного» цветов с активной областью, содержащей множественные квантовые ямы, - (AlхGa1-х)0,5In0,5P и с внутренним отражателем на основе зеркала Брэгга, а также полупроводниковой излучающей желтый и красный свет гетероструктуры, содержащей активную область с множественными квантовыми ямами - (AlхGa1-х)0,5In0,5P и внутренний отражатель на основе зеркала Брэгга, в отношении РФ установлено, что объект не подпадает под действие охранных документов третьих лиц, выданных на изобретения и полезные модели (см. таблица 4). Относительно покупных комплектующих изделий, сведения, о патентной чистоте которых должны быть приняты во внимание при оценке патентной чистоты объекта в целом, то такие комплектующие не используются. Исследование патентной чистоты объекта техники показало, что он обладает патентной чистотой в отношении РФ с учетом публикации последних просмотренных материалов от 10.07.2013г. Установленный факт говорит в пользу того, что в мерах по обеспечению патентной чистоты и беспрепятственному производству и реализации объекта техники нет необходимости.
Инвентарный номер отчета (ИК): 02201361252 Дата регистрации ИК: 2013-08-29
Заключительный реферат
Объектом исследования является светодиод (СД) AlGalnP/GaAs с активной областью на основе множественных квантовых ям (МКЯ) и встроенным оптическим отражателем на основе распределенного зеркала Брэгга (РЗБ) AlGaAs/AlGaAs, выращенный на подложке GaAs . Целью работы является разработка МОСЕФЭ технологии выращивания радиационно-стойких «красных» и «желтых» СД AlGalnP/GaAs с МКЯ и встроенным оптическим отражателем на основе распределенного зеркала Брэгга AlGaAs/AlGaAs, а также способа оценки критериальных параметров такого СД при воздействии электронным пучком в пассивном электрическом режиме питания. В процессе работы проведен анализ научно-технической и патентной литературы, посвященной особенностям технологии выращивания светодиодов (СД) AlGalnP/GaAs и их конструктивным особенностям. Разработана МОСГФЭ технология выращивания «красных» и «желтых» СД AlGalnP/GaAs с МКЯ и встроенным оптическим отражателем на основе распределенного зеркала Брэгга AlGaAs/AlGaAs, проведены эксперименты по выращиванию таких светодиодов, изготовлен макетный экспериментальный образец СД AlGalnP/GaAs. Проведен анализ научно-технической и патентной литературы по влиянию высокоэнергетического ионизирующего излучения на параметры СД AlGalnP/GaAs, проведено облучение электронами экспериментального СД AlGalnP/GaAs в пассивном электрическом режиме питания, оценены критериальные параметры радиационной стойкости и условия повышения радиационной стойкости светодиодов СД AlGalnP/GaAs. Полученные результаты использованы при разработке технического задания на выполнение прикладной НИР производства радиационно-стойких «красных» и «желтых» СД AlGalnP/GaAs с МКЯ и с встроенным оптическим отражателем на основе РЗБ AlGaAs/AlGaAs. Результаты исследований соответствуют мировому уровню.
Инвентарный номер отчета (ИК): 02201452970 Дата регистрации ИК: 2014-02-17
Заказчик
Министерство образования и науки Российской Федерации (ФГБНУ «Дирекция НТП»), ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2013 годы», Шифр лота 2013-1.3-14-513-0008; Шифр заявки 2013-1.3-14-513-0008-018; Госконтракт: 14.513.11.0122
ГРНТИ УДК Инвентарный номер Госшифр Госконтракт Договор
29.19.21 ( ФИЗИКА. Физика твердых тел. Влияние облучения на свойства твердых тел. )
29.19.22 ( ФИЗИКА. Физика твердых тел. Физика наноструктур. Низкоразмер-ные структуры. Мезоскопические структуры. )
29.19.31 ( ФИЗИКА. Физика твердых тел. Полупроводники. )
539.2/.6:539./.04; 753912 14.513.11.0122
Ключевые слова
АЛЮМИНИЙ/ГАЛЛИЙ/ИНДИЙ/ФОСФОР, ЭПИТАКСИЯ, МЕТАЛЛОРГАНИЧЕСКИЕ СОЕДИНЕНИЯ, КВАНТОВЫЕ ЯМЫ, БАРЬЕРЫ, СВЕТОДИОДЫ, РАДИАЦИЯ
Предполагаемый результат работы
Отчет
Организации соисполнители
Государственный учет результатов НИОКР в БД РНТД Минобрнауки РФ
Получить полный доступ
Основание к регистрации темы (электронный вариант)
Только для служебного пользования
   
2007 © ОНТИ НУ ТГУ
E-mail: onti@sun.lib.tsu.ru
Тел: 52-76-99