Логин:
Пароль:

Работа №2263
Название работы
Разработка и исследование элементов световыводящей оптики, созданных на стадии эпитаксиального роста светодиодных гетероструктур
Автор работы
Ивонин Иван Варфоломеевич
Дата начала работы Дата окончания работы
2013-07-01 2013-10-31
Аннотация
Целью проекта является исследование и разработка высокоэффективных светодиодных структур (PSS – patterned sapphire substrates) GaN/InGaN/GaN с элементами световыводящей оптики за счет использования технологии эпитаксии металлорганических соединений (МОСГФЭ) путем выращивании многослойных гетероструктур на профилированной подложке сапфира (технология PSS – patterned sapphire substrates). Выращивание светодиодной структуры на профилированных подложках сапфира позволит создавать упорядоченную структуру на границе структура/подложка, которая способствует снижению плотности дислокаций несоответствия и уменьшает коэффициент оптического отражения при выводе излучения. Важным достоинством использования PPS является возможность применения достаточно дешевой технологии нанопринтерной печати маски для последующего травления подложки. Проведение комплексных исследований по оптимизации дизайна светодиодных структур GaN/InGaN/GaN, выращенных на профилированных подложках сапфира, улучшения их структурного совершенства и оптической эффективности позволит выявить вклад различных эффектов в увеличение внешней эмиссии света таких структур
Тип НИР Источник финансирования Объем финансирования Вид работы
ФЦП 1004000 Министерство образования и науки Российской Федерации Прикладная
Промежуточный реферат №1
ОТЧЕТ О ПАТЕНТНЫХ ИССЛЕДОВАНИЯХ Объект относится к технологии полупроводниковых приборов и предназначен для производства светодиодов видимого диапазона с длиной волны излучения, соответствующий синему цвету. Проведенные патентные исследования показали, что разрабатываемый объект является технически перспективным.При успешном завершении проекта, проведении ОКР , целесообразно производственное внедрение. Последнее предполагает соответствие объектов условию патентной чистоты, а в случае отсутствия соблюдения указанного условия - разработку и принятие соответствующих мер, обеспечивающих патентную чистоту, или приобретение лицензий. В связи с этим, на последующих этапах выполнения работы необходимы патентные исследования в рамках экспертизы на патентную чистоту.
Инвентарный номер отчета (ИК): 02201361250 Дата регистрации ИК: 2013-08-29
Промежуточный реферат №2
ОТЧЕТ О ПАТЕНТНЫХ ИССЛЕДОВАНИЯХ Объект относится к технологии полупроводниковых приборов и предназначен для производства светодиодов видимого диапазона с длиной волны излучения, соответствующий синему цвету. Исследование патентной чистоты объекта техники показало, что он обладает патентной чистотой в отношении РФ с учетом публикации последних просмотренных материалов от 18.07.2013г. Установленный факт говорит в пользу того, что в мерах по обеспечению патентной чистоты и беспрепятственному производству и реализации объекта техники нет необходимости.
Инвентарный номер отчета (ИК): 02201361249 Дата регистрации ИК: 2013-08-29
Заключительный реферат
Объектом исследования являются многослойные гетероэпитаксиальные структуры на основе нитридов InN, GaN и твердых растворов на их основе с квантовыми ямами InGaN, выращенные на подложке сапфира (AI2O3), и предназначенные для производства светодиодов синего диапазона длин волн. Целью работы является: создание научно-технического задела и технических средств для разработки энергоэффективных светодиодных устройств, обладающих по сравнению с существующими аналогами более низким энергопотреблением, более длительным сроком службы и более низкой стоимостью; повышение светоотдачи структур «синего» диапазона на основе InGaN/GaN за счет использования оптических отражающих световыводящих элементов профилированной подложки сапфира. В процессе работы проведен анализ научно-технической и патентной литературы, посвященной особенностям технологии выращивания нитридных светоизлучающих структур InGaN/GaN/Al2O3, исследованию их конструктивного дизайна и параметров, методам повышения оптической эффективности светодиодных структур гетероструктур InGaN/GaN/Al2O3 и технологии получения профилированных подложек сапфира . В результате проведенных исследований определены условия мосгидридной технологии выращивания на профилированной подложке сапфира высокоэффективных светодиодных гетероструктур GalnN/GaN/Аl2Оз с множественными квантовыми ямами, разработан конструктивный дизайн таких гетероструктур, выращены экспериментальные образцы светодиодных гетероструктур GaInN/GaN/Аl2Оз на профилированной подложке сапфира и исследованы их параметры. Результаты НИР использованы при разработке технического задания на выполнение опытно-конструкторской работы производства высокоэффективных светодиодов GalnN/GaN/Al2Os синего диапазона длин волн с множественными квантовыми ямами.
Инвентарный номер отчета (ИК): 02201452967 Дата регистрации ИК: 2014-02-17
Заказчик
Министерство образования и науки Российской Федерации (ФГБНУ «Дирекция НТП»), ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2013 годы». Шифр лота 2013-1.6-14-516-0132; Шифр заявки 2013-1.6-14-516-0132-018; Госконтракт 14.516.11.0088
ГРНТИ УДК Инвентарный номер Госшифр Госконтракт Договор
29.19.22 ( ФИЗИКА. Физика твердых тел. Физика наноструктур. Низкоразмер-ные структуры. Мезоскопические структуры. )
29.19.31 ( ФИЗИКА. Физика твердых тел. Полупроводники. )
539.23; 753579 14.516.11.0088
Ключевые слова
Галлий/индий/азот, эпитаксия, металлорганические соединения, квантовые ямы, барьеры, профилирование, светодиодные гетероструктуры
Предполагаемый результат работы
Отчет
Организации соисполнители
Государственный учет результатов НИОКР в БД РНТД Минобрнауки РФ
Получить полный доступ
Основание к регистрации темы (электронный вариант)
Только для служебного пользования
   
2007 © ОНТИ НУ ТГУ
E-mail: onti@sun.lib.tsu.ru
Тел: 52-76-99