Логин:
Пароль:

Работа №2193
Название работы
Графен на кремнии: от гетероэпитаксии 3С-SiC/Si к росту высококачественных графеновых слоев
Автор работы
Филимонов Сергей Николаевич
Дата начала работы Дата окончания работы
2013-01-01 2014-12-31
Аннотация
Гетероэпитаксиальный рост кубического карбида кремния (3C-SiC) на кремнии из монометилсилана (CH3SiH3) предлагается использовать в качестве относительно дешевого и эффективного способа получения исходного материала для роста эпитаксиального графена. Данная система характеризуется аномально резким падением скорости роста SiC в области высоких температур, что указывает на возможное изменение коэффициента прилипания монометилсилана в резульате смены реконструкции и/или полярности поверхности. Для проверки данной гипотезы в рамках предлагаемого проекта будут проведены квантовомеханические расчеты равновесной структуры поверхностей 3C-SiC пассивированных водородом, а также проведен сравнительный анализ процессов адсорбции и десорбции монометилсилана и водорода на поверхностях кремния и карбида кремния различной структуры. Полученные данные будут использованы для построения детальной кинетической модели эпитаксиального роста 3C-SiC/Si из монометилсилана и исследования влияния условий кристаллизации и морфологии исходной поверхности на механизмы зарождения и роста пленок 3C-SiC/Si. Планируемые исследования позволят прояснить роль состояния поверхности в кинетике роста 3C-SiC/Si и определить возможные пути управления процессом
Тип НИР Источник финансирования Объем финансирования Вид работы
Получить полный доступ Получить полный доступ Получить полный доступ Получить полный доступ
Заказчик
Получить полный доступ
ГРНТИ УДК Инвентарный номер Госшифр Госконтракт Договор
Получить полный доступ Получить полный доступ Получить полный доступ Получить полный доступ Получить полный доступ Получить полный доступ
Ключевые слова
ГРАФЕН, КАРБИД КРЕМНИЯ, КРЕМНИЙ, ЭПИТАКСИЯ, РЕКОНСТРУКЦИЯ, КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ
Предполагаемый результат работы
Получить полный доступ
Организации соисполнители
Получить полный доступ
Государственный учет результатов НИОКР в БД РНТД Минобрнауки РФ
Получить полный доступ
Основание к регистрации темы (электронный вариант)
Только для служебного пользования
   
2007 © ОНТИ НУ ТГУ
E-mail: onti@sun.lib.tsu.ru
Тел: 52-76-99