Логин:
Пароль:

Работа №2154
Название работы
Диагностика фоточувствительных и излучательных наногетероструктур с квантовыми ямами и квантовыми точками на основе полупроводниковых соединений А2В6 и А4В4 методом спектроскопии комплексной проводимости
Автор работы
Войцеховский Александр Васильевич
Дата начала работы Дата окончания работы
2012-07-11 2013-11-15
Аннотация
Разработка методов спектроскопии комплексной проводимости полупроводниковых наногетероструктур с квантовыми ямами и квантовыми точками на основе материальных систем А2В6 и А4В4 для определения электрофизических характеристик и энергетических параметров наногетероструктур. Будут разработаны методики для автоматизированного комплекса диагностики наногетероструктур методом спектроскопии комплексной проводимости. Будут разработаны физико-математические модели расчета вольт-фарадных (C-V) и вольт-симменсных (G-V) характеристик для гетероструктур с квантовыми ямами. Проведены измерения составляющих комплексной проводимости МДП-структур на основе Hg1-xCdxTe с одиночными и множественными квантовыми ямами. Проведены температурные и частотные измерения емкости и проводимости многослойных наногетероструктур с квантовыми точками. Разработаны методы диагностики энергетических параметров квантовых ям в наноструктурах на основе узкозонного соединения Hg1-xCdxTe и квантовых точек германия в матрице кремния (Ge/Si, Ge/SiGe).
Тип НИР Источник финансирования Объем финансирования Вид работы
ФЦП 1006600 Министерство образования и науки Российской Федерации Фундаментальная
Заключительный реферат
Объектом исследования являются наногетероструктуры из теллурида кадмия ртути с квантовыми ямами и наногетероструктуры с квантовыми точками германия в кремнии, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Цель работы — разработка методов спектроскопии комплексной проводимости полупроводниковых наногетероструктур с квантовыми ямами и квантовыми точками на основе материальных систем А2В6 и А4В4 для определения электрофизических характеристик и энергетических параметров наногетероструктур. Составлены аналитические обзоры информационных источников, разработана физико-математическая модель формирования полевых зависимостей емкости и проводимости МДП-структур на основе наногетероструктур МЛЭ HgCdTe с неоднородным распределением содержания CdTe по толщине пленки. Разработана физико-математическая модель формирования электрофизических и оптических характеристик приборных структур на основе полупроводниковых соединений германий-кремний с квантовыми точками. Экспериментально исследованы полевые зависимости комплексной проводимости для образцов на основе гетероэпитаксиального HgCdTe МЛЭ. Проведены экспериментальные исследования полевых зависимостей полной проводимости приборных структур с квантовыми точками Ge/Si. На основании экспериментальных и теоретических исследований разработаны методы технологического контроля параметров наногетероструктур. Сформулированы рекомендации по применению разработанных методов технологического контроля. Степень внедрения — разработанные методы технологического контроля могут использоваться для определения параметров наногетероструктур с квантовыми ямами и квантовыми точками методом спектроскопии комплексной проводимости.
Инвентарный номер отчета (ИК): 02201364701 Дата регистрации ИК: 2013-12-23
Заказчик
Министерство образования и науки Российской Федерации, ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 2009-2013 годы», Мероприятие 1.1 «Проведение научных исследований научными группами под руководством докторов наук», Соглашение 14.В37.21.0074 от 11 июля 2012; 2012-1.1-12-000-2003-037
ГРНТИ УДК Инвентарный номер Госшифр Госконтракт Договор
29.19.22 ( ФИЗИКА. Физика твердых тел. Физика наноструктур. Низкоразмер-ные структуры. Мезоскопические структуры. )
29.19.24 ( ФИЗИКА. Физика твердых тел. Электронная структура твердых тел. )
29.19.31 ( ФИЗИКА. Физика твердых тел. Полупроводники. )
539.23; 717282 2012-1.1-12-000-2003-037 14.В37.21.0074
Ключевые слова
ДИАГНОСТИКА, НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ, КВАНТОВЫЕ ЯМЫ, КВАНТОВЫЕ ТОЧКИ
Предполагаемый результат работы
Отчет
Организации соисполнители
Государственный учет результатов НИОКР в БД РНТД Минобрнауки РФ
Получить полный доступ
Основание к регистрации темы (электронный вариант)
Только для служебного пользования
   
2007 © ОНТИ НУ ТГУ
E-mail: onti@sun.lib.tsu.ru
Тел: 52-76-99