Логин:
Пароль:

Работа №2091
Название работы
Фотоприемники инфракрасного диапазона на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Автор работы
Дзядух Станислав Михайлович
Дата начала работы Дата окончания работы
2012-09-14 2013-11-01
Аннотация
В настоящее время узкозонный полупроводник HgxCd1-xTe (КРТ) является основным материалом для создания высокочувствительных инфракрасных матриц фотодиодов и фоторезисторов для спектральных диапазонов окон прозрачности атмосферы 3-5 и 8-12 мкм. Целью работы является проведение исследований МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe с переменным составом эпитаксиальной пленки и различными пассивирующими покрытиями для разработки методов управления характеристиками фотоприемников инфракрасного диапазона. При выполнении работ по данному проекту предполагается экспериментально и теоретически исследовать влияние неоднородного распределения состава на электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ Hg1-xCdxTe, разработать методики оценки качества покрытий, пассивирующих варизонный КРТ, выбрать оптимальные пассивирующие покрытия для различных типов фотоприемников инфракрасного диапазона, а также теоретически и экспериментально исследовать возможности управления характеристиками фотоприемников на основе МЛЭ КРТ путем контролируемого изменения состава по толщине эпитаксиальной пленки, в том числе исследовать возможности улучшения качества границы раздела путем создания периодически расположенных «барьерных» слоев, расположенных на разном расстоянии от границы раздела. При построении физической модели МДП-структур на основе варизонного МЛЭ КРТ планируется учет влияния эффектов вырождения и непараболичности, учет влияния сопротивления объема эпитаксиальной пленки на измеряемые характеристики, учет неоднородного распределения содержания CdTe по толщине эпитаксиальной пленки HgxCd1-xTe
Тип НИР Источник финансирования Объем финансирования Вид работы
ФЦП 1006600 Министерство образования и науки Российской Федерации Фундаментальная
Заключительный реферат
Объектом исследования являются наногетероструктуры из теллурида кадмия ртути с неоднородным содержанием CdTe по толщине эпитаксиальной пленки, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Цель работы — проведение исследований МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe с переменным содержанием CdTe по толщине эпитаксиальной пленки и различными пассивирующими покрытиями для разработки методов управления характеристиками фотоприемников инфракрасного диапазона. В процессе работы составлены аналитический обзоры информационных источников, посвященных методам исследования свойств структур с квантовыми ямами и измерениям характеристик структур с квантовыми точками. В результате исследования сделаны выводы о возможности определения параметров наногетероструктур на основе HgCdTe с квантовыми ямами и на основе кремния с квантовыми точками германия методом спектроскопии комплексной проводимости. Разработана физико-математическая модель формирования полевых зависимостей емкости и проводимости МДП-структур на основе наногетероструктур МЛЭ HgCdTe с неоднородным распределением содержания CdTe по толщине пленки. Экспериментально исследованы полевые зависимости комплексной проводимости для большой группы образцов на основе гетероэпитаксиального HgCdTe МЛЭ с различным типом проводимости, с различным распределением состава по толщине пленки. Исследования проводились в широком интервале температур. Выявлены особенности экспериментальных характеристик, связанные с параметрами сопротивлением объема эпитаксиальной пленки, с наличием приповерхностных варизонных слоев с повышенным составом, с составом рабочего слоя. Установлено влияние сопротивления объема эпитаксиальной пленки на измеряемую емкость и проводимость МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe. Предложен алгоритм обработки экспериментальных данных, позволяющий устранить влияние сопротивления объема эпитаксиальной пленки на измеряемые параметры МДП-структур. Разработано программное обеспечение для автоматизации измерений и обработки экспериментальных данных. Степень внедрения — разработанные методы технологического контроля могут использоваться для определения параметров МДП-структур на основе наногетероструктур МЛЭ HgCdTe методом спектроскопии комплексной проводимости. Эффективность использования проведенных исследований определяется возможностями технологического контроля параметров МДП-структур на основе наногетероструктур МЛЭ HgCdTe в широком интервале частот, напряжений смещения и большом диапазоне температур.
Инвентарный номер отчета (ИК): 02201364001 Дата регистрации ИК: 2013-12-10
Заказчик
Министерство образования и науки Российской Федерации, ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 2009-2013 годы», Мероприятие 1.3.1. Проведение научных исследований молодыми учеными - кандидатами наук, Соглашение 14.В37.21.1177 от 14 сентября 2012; 2012-1.3.1-12-000-1010-002
ГРНТИ УДК Инвентарный номер Госшифр Госконтракт Договор
29.19.31 ( ФИЗИКА. Физика твердых тел. Полупроводники. )
29.19.16 ( ФИЗИКА. Физика твердых тел. Физика тонких пленок. Поверхности и границы раздела. )
29.19.22 ( ФИЗИКА. Физика твердых тел. Физика наноструктур. Низкоразмер-ные структуры. Мезоскопические структуры. )
537.311.322; 696303 14.В37.21.1177 14.В37.21.1177
Ключевые слова
HgCdTe; эпитаксиальные пленки; фотоприемники; ИК диапазон; варизонные слои; пассивирующие покрытия; метод молекулярно-лучевой эпитаксии.
Предполагаемый результат работы
Отчет
Организации соисполнители
Государственный учет результатов НИОКР в БД РНТД Минобрнауки РФ
Получить полный доступ
Основание к регистрации темы (электронный вариант)
Только для служебного пользования
   
2007 © ОНТИ НУ ТГУ
E-mail: onti@sun.lib.tsu.ru
Тел: 52-76-99