Логин:
Пароль:

Работа №1622
Название работы
Разработка и исследование полупроводниковых структур для субнаносекундных переключателей
Автор работы
Прудаев Илья Анатольевич
Дата начала работы Дата окончания работы
2010-09-22 2012-12-03
Аннотация
Целью выполняемых работ является решение фундаментальной научной проблемы в электронике, связанной с разработкой новых приборов импульсной техники. Решение данной проблемы позволит создать новые перспективные технологии, разработать полупроводниковые структуры и приборы нового поколения. Выполнение НИР должно обеспечивать достижение высоких научных результатов и закрепление научных и научно-педагогических кадров в сфере науки, образования и высоких технологий. Создаваемые переключающие лавинные S-диоды, изготовленные по модернизированной технологии, будут иметь характеристики, превосходящие характеристики существующих приборов мирового уровня. Они могут иметь инновационную привлекательность и коммерческую значимость. S-диоды могут быть использованы при изготовлении источников импульсного питания мощных полупроводниковых лазеров и светодиодов (системы целеуказания, дальномеры и т.д.), источников сверхширокополсных сигналов и других систем специального и гражданского назначения.
Тип НИР Источник финансирования Объем финансирования Вид работы
ФЦП 1006600 Министерство образования и науки Российской Федерации Фундаментальная
Промежуточный реферат №1
В отчете представлены результаты исследований, выполненных по 1 этапу Государственного контракта № 16.740.11.0231 "Разработка и исследование полупроводниковых структур для субнаносекундных переключателей" (шифр "2010-1.3.1-214-005") от 22 сентября 2010 по направлению "Проведение научных исследований молодыми учеными - кандидатами наук по следующим областям:- распределенные вычислительные системы;- обработка, хранение, передача и защита информации;- создание интеллектуальных систем навигации и управления;- создание и управление новыми видами транспортных систем;- создание электронной компонентной базы" в рамках мероприятия 1.3.1 "Проведение научных исследований молодыми учеными - кандидатами наук.", мероприятия 1.3 "Проведение научных исследований молодыми учеными - кандидатами наук и целевыми аспирантами в научно-образовательных центрах" , направления 1 "Стимулирование закрепления молодежи в сфере науки, образования и высоких технологий." федеральной целевой программы "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России" на 2009-2013 годы. Цель работы - Проведение аналитического обзора по диффузии, электрическим характеристикам диффузионных структур, сопоставление литературных данных с экспериментальными. При исследовании диффузии использовали метод p-n-перехода и метод двух образцов. При исследовании электрических характеристик использовался метод вольтметра-амперметра. Исследование микроструктуры электронно-дырочных переходов проводилось при помощи металлографического метода и атомно-силовой микроскопии. Исследование диффузионных параметров и распада твердого раствора проводили с использование металлографического микроскопа Askania RMA 5 и Атомно-силового микроскопа Solver HV. Измерение электрических характеристик структур проводилось с использованием приборов Keithley – SourceMeter 2410 и LeCroy 104 Xs. Показано, что процессы токопротекания в диффузионных π-ν-n-структурах объясняются с позиций формирования линейного π-ν-перехода. Оценено время распада раствора Fe в GaAs и концентрация кластеров, ответственных за неоднородность электронно-дырочных переходов лавинных S-диодов.
Инвентарный номер отчета (ИК): 02201161762 Дата регистрации ИК: 2011-10-28
Промежуточный реферат №2
В отчете представлены результаты исследований, выполненных по 2 этапу Государственного контракта № 16.740.11.0231 "Разработка и исследование полупроводниковых структур для субнаносекундных переключателей" (шифр "2010-1.3.1-214-005") от 22 сентября 2010 по направлению "Физика конденсированных сред. Физическое материаловедение" в рамках мероприятия 1.3.1 "Проведение научных исследований молодыми учеными - кандидатами наук", мероприятия 1.3 "Проведение научных исследований молодыми учеными - кандидатами наук и целевыми аспирантами в научно-образовательных центрах", направления 1 "Стимулирование закрепления молодежи в сфере науки, образования и высоких технологий." федеральной целевой программы "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России" на 2009-2013 годы. Цель работы - Исследование оптоэлектронных характеристик лавинных S-диодов в статическом и импульсном режимах. Для исследования статических характеристик использовался метод вольтметра-амперметра. Исследование импульсных характеристик проводилось в схеме автогенератора. Измерение электрических характеристик лавинных S-диодов проводилось с использованием приборов Keithley – SourceMeter 2410 и LeCroy 104 Xs. Получены экспериментальные зависимости времени задержки переключения лавинных S-диодов от энергии оптического импульсного излучения. Предложен механизм, ответственный за появление задержки переключения S-диода при переключении под воздействием оптического импульса. Модель процесса переключения лавинных S-диодов с учетом оптической инжекцией носителей заряда учитывает перезарядку глубоких уровней примеси в области объемного заряда. Предложенная модель подтверждается экспериментальными данными.
Инвентарный номер отчета (ИК): 02201161755 Дата регистрации ИК: 2011-10-28
Промежуточный реферат №3
В отчете представлены результаты исследований, выполненных по 3 этапу Государственного контракта № 16.740.11.0231 "Разработка и исследование полупроводниковых структур для субнаносекундных переключателей" (шифр "2010-1.3.1-214-005") от 22 сентября 2010 по направлению "Физика конденсированных сред. Физическое материаловедение" в рамках мероприятия 1.3.1 "Проведение научных исследований молодыми учеными - кандидатами наук.", мероприятия 1.3 "Проведение научных исследований молодыми учеными - кандидатами наук и целевыми аспирантами в научно-образовательных центрах" , направления 1 "Стимулирование закрепления молодежи в сфере науки, образования и высоких технологий." федеральной целевой программы "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России" на 2009-2013 годы. Цель работы - Разработка новых методов исследования характеристик лавинных S-диодов, позволяющих построить физическую модель протекания тока в S-диодах в сильных электрических полях в условия электронной инжекции. Для исследования статических характеристик использовался метод вольтметра-амперметра. Для исследования зависимости пороговых параметров от толщины базы использовался метод послойного снятия базовой области диодов. Измерение электрических характеристик лавинных S-диодов проводилось с использованием приборов Keithley – SourceMeter 2410 и LeCroy 104 Xs. Разработан новый метод исследования влияния толщины базы на пороговые характеристики S-диодов, основанный на послойном снятии высокоомной области с единичных образцов. Предложена физическая модель протекания тока в S-диодах в сильных электрических полях в условиях электронной инжекции.
Инвентарный номер отчета (ИК): 02201262743 Дата регистрации ИК: 2012-11-13
Промежуточный реферат №4
В отчете представлены результаты исследований, выполненных по 4 этапу Государственного контракта № 16.740.11.0231 "Разработка и исследование полупроводниковых структур для субнаносекундных переключателей" (шифр "2010-1.3.1-214-005") от 22 сентября 2010 по направлению "Физика конденсированных сред. Физическое материаловедение" в рамках мероприятия 1.3.1 "Проведение научных исследований молодыми учеными - кандидатами наук.", мероприятия 1.3 "Проведение научных исследований молодыми учеными - кандидатами наук и целевыми аспирантами в научно-образовательных центрах" , направления 1 "Стимулирование закрепления молодежи в сфере науки, образования и высоких технологий." федеральной целевой программы "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России" на 2009-2013 годы. Цель работы - разработка технологии изготовления структур с двойным легированием арсенида галлия хромом и железом для S-диодов с повышенными значениями напряжения переключения. Для исследования статических характеристик использовался метод вольтметра-амперметра. Для исследования импульсных характеристик использовались схемы автогенератора на S-диоде и обострителя импульсов. Измерение электрических характеристик лавинных S-диодов проводилось с использованием приборов Keithley – SourceMeter 2410 и LeCroy 104 Xs. Разработана новая структура с двойным легированием арсенида галлия примесями хрома и железа для лавинных S-диодов с повышенными значениями напряжения переключения. Предложены оптимальные параметры структуры с двойным легированием и технологический маршрут ее изготовления. Диоды испытаны в схемах генератора и обострителя. Показано, что управление характеристиками диодов возможно при изменении толщины слоя, легированного хромом. Структура и способ ее изготовления защищены патентом на изобретение.
Инвентарный номер отчета (ИК): 02201258950 Дата регистрации ИК: 2012-06-09
Заключительный реферат
В отчете представлены результаты исследований, выполненных по 5 этапу Государственного контракта № 16.740.11.0231 "Разработка и исследование полупроводниковых структур для субнаносекундных переключателей" (шифр "2010-1.3.1-214-005") от 22 сентября 2010 по направлению "Физика конденсированных сред. Физическое материаловедение" в рамках мероприятия 1.3.1 "Проведение научных исследований молодыми учеными - кандидатами наук.", мероприятия 1.3 "Проведение научных исследований молодыми учеными - кандидатами наук и целевыми аспирантами в научно-образовательных центрах", направления 1 "Стимулирование закрепления молодежи в сфере науки, образования и высоких технологий." федеральной целевой программы "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России" на 2009-2013 годы. Цель работы - Обобщение ранее полученных результатов по разработке и исследованию структур и приборов на основе GaAs, компенсированного глубокими акцепторами. Для исследования статических характеристик использовался метод вольтметра-амперметра. Для исследования импульсных характеристик использовались схемы автогенератора на S-диоде и обострителя импульсов. Измерение электрических характеристик лавинных S-диодов проводилось с использованием приборов Keithley – SourceMeter 2410 и LeCroy 104 Xs. В работе обобщены ранее полученные результаты по диффузии хрома и железа в арсениде галлия, электрическим и оптоэлектронным характеристикам лавинных S-диодов, электрофизическим свойствам компенсированных структур; проведены патентные исследования.
Инвентарный номер отчета (ИК): 02201263940 Дата регистрации ИК: 2012-12-14
Заказчик
Министерство образования и науки РФ, ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 2009-2013 годы»,Мероприятие 1.3.1 Проведение научных исследований молодыми учеными - кандидатами наук, Лот 5, 2010-1.3.1-214-005 «Проведение научных исследований молодыми учеными - кандидатами наук по следующим областям: - распределенные вычислительные системы; - обработка, хранение, передача и защита информации; - создание интеллектуальных систем навигации и управления; - создание и управление новыми видами транспортных систем; - создание электронной компонент-ной базы», Шифр конкурса «2010-1.3.1-214-005», № ГК 16.740.11.0231 от 22 сентября 2010
ГРНТИ УДК Инвентарный номер Госшифр Госконтракт Договор
47.09.29 ( ЭЛЕКТРОНИКА. РАДИОТЕХНИКА. Материалы для электроники и радиотехники. Полупроводниковые материалы. )
29.19.13 ( ФИЗИКА. Физика твердых тел. Механические свойства твердых тел. )
621.37/.39; 621.38; 540126 2010-1.3.1-214-005/12 16.740.11.0231
Ключевые слова
арсенид галлия, диффузия, s-диод, лавинный пробой, вольт-амперная характеристика, область пространственного заряда
Предполагаемый результат работы
Отчет
Организации соисполнители
Государственный учет результатов НИОКР в БД РНТД Минобрнауки РФ
Получить полный доступ
Основание к регистрации темы (электронный вариант)
Только для служебного пользования
   
2007 © ОНТИ НУ ТГУ
E-mail: onti@sun.lib.tsu.ru
Тел: 52-76-99