Логин:
Пароль:

Работа №1590
Название работы
Разработка и исследование характеристик фоточувствительных элементов на основе структур CdxHg1-xTe c наноразмерными слоями и структур Si1-xGex с квантовыми точками
Автор работы
Горн Дмитрий Игоревич
Дата начала работы Дата окончания работы
2010-04-29 2011-07-29
Аннотация
Целью данного проекта является развитие теории наногетероэпитаксиальных структур на основе материалов CdxHg1-xTe и Si1-xGex, разработка фоточувствительных структур на их основе, а также реализация оптоэлектронных приборов на базе разработанных структур. Разработанные в ходе выполнения данной работы методики расчёта и прогнозирования характеристик наноструктур на основе материалов CdxHg1-xTe и Si1-xGex, основанные на квантовомеханическом расчёте электронных состояний в наноструктрурах, станут теоретической основой определения параметров выращиваемых структур, а также условий роста. На основе разрабатываемых фоточувствительных структур могут быть изготовлены различные оптоэлектронные компоненты, в частности, матрицы МДП-структур, фоторезисторные и фотодиодные приёмники, которые, в свою очередь, могут являться основными элементами приборов инфракрасной техники. Использование разработанных структур в подобных приборах позволит улучшить их рабочие характеристики по сравнению с характеристиками приборов, существующих в настоящее время. Использование разработанных структур позволит расширить спектральный диапазон, повысить рабочие температуры, увеличить селективность приёма фотосигнала и квантовую эффективность оптоэлектронного прибора.
Тип НИР Источник финансирования Объем финансирования Вид работы
ФЦП 1006600 Федеральное агентство по образованию Фундаментальная
Промежуточный реферат №1
Объектом исследования являются структуры на основе материалов CdHgTe и Si-Ge с наноразмерными включениями. Цель работы – Развитие теории наногетероструктур на основе материалов CdxHg1-xTe и Si1-xGex и разработка фоточувствительных структур на их основе. В процессе работы проводились теоретические и экспериментальные исследования оптических и электрофизических характеристик структур CdxHg1-xTe с квантовыми ямами и структур Si1-xGex с квантовыми точками. Использованные методы: анализ научно-технических источников и патентной инфор-мации; теоретическое моделирование характеристик наногетероструктур; разработка экспе-риментальных методик исследования свойств наноструктур. В результате исследования определены закономерности физических процессов в на-ноструктурах на основе соединений CdxHg1-xTe и Si1-xGex, а также разработаны физико-математические модели описания фоточувствительных элементов на основе структур CdxHg1-xTe с наноразмерными слоями и структур с квантовыми точками Ge в Si. Полученные в работе методики моделирования характеристик наноструктур могут быть использованы при проектировании фоточувствительных элементов инфракрасного диапазона. ОТЧЕТ О ПАТЕНТНЫХ ИССЛЕДОВАНИЯХ (стр.56-98)
Инвентарный номер отчета (ИК): 02201056239 Дата регистрации ИК: 2010-09-03
Заключительный реферат
Объектом исследования являются структуры на основе материалов CdHgTe и Si-Ge с наноразмерными включениями. Цель работы – Развитие теории наногетероструктур на основе материалов CdxHg1-xTe и Si1-xGex и разработка фоточувствительных структур на их основе. В процессе работы проводилось выращивание, теоретическое и экспериментальное исследование оптических и электрофизических характеристик структур CdxHg1-xTe с кванто-выми ямами и структур Si1-xGex с квантовыми точками. Использованные методы: выращивание структур на основе КРТ и Si-Ge методом мо-лекулярно-лучевой эпитаксии; теоретическое моделирование и экспериментальное исследо-вание электрофизических и оптических характеристик тестовых структур. В результате исследования получены экспериментальные данные по исследованию электрофизических и спектральных характеристик наногетероструктур на основе соедине-ний CdxHg1-xTe и Si1-xGex, а также выработаны рекомендации по использованию результатов проведенных исследований в технологии создания фотоприёмных элементов для диапазона длин волн 3—14 мкм на основе наногетероструктур CdxHg1-xTe и Si1-xGex.
Инвентарный номер отчета (ИК): 02201159018 Дата регистрации ИК: 2011-07-14
Заказчик
Федеральное агентство по образованию, ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 2009-2013 годы», Мероприятие 1.3.2 «Проведение научных исследований целевыми аспирантами», НК-494П «Проведение поисковых научно-исследовательских работ по направлению «Нанотехнологии и наноматериалы» в рамках мероприятия 1.3.2 Программы», шифр заявки НК-494П/14, ГК № П281 от 29.04.2010
ГРНТИ УДК Инвентарный номер Госшифр Госконтракт Договор
29.19.22 ( ФИЗИКА. Физика твердых тел. Физика наноструктур. Низкоразмер-ные структуры. Мезоскопические структуры. )
47.33.33 ( ЭЛЕКТРОНИКА. РАДИОТЕХНИКА. Твердотельные приборы. Оптоэлектронные приборы. )
47.35.37 ( ЭЛЕКТРОНИКА. РАДИОТЕХНИКА. Квантовая электроника. Приемные устройства оптического когерентного излучения. )
539.23; 539.216.1; 681.382.473; 621.373.826:681.7.068; 529470 НК-494П/14 П281
Ключевые слова
КРТ (теллурид кадмия-ртути, CdxHgl-xTe), Sil-xGex, молекулярно-лучевая эпитаксия, спектральные характеристики, коэффициент поглощения, наноструктура, квантовая яма
Предполагаемый результат работы
Отчет
Организации соисполнители
Государственный учет результатов НИОКР в БД РНТД Минобрнауки РФ
Получить полный доступ
Основание к регистрации темы (электронный вариант)
Только для служебного пользования
   
2007 © ОНТИ НУ ТГУ
E-mail: onti@sun.lib.tsu.ru
Тел: 52-76-99