Логин:
Пароль:

Работа №1497
Название работы
Разработка технологии получения нового полупроводникого материала с промежуточной зоной и фотопреобразователей солнечной энергии на основе наногетероструктур Ge-Si с широкой спектральной характеристикой
Автор работы
Войцеховский Александр Васильевич
Дата начала работы Дата окончания работы
2009-07-23 2011-08-25
Аннотация
Объектом исследования являются Ge-Si наноструктуры и фотопреобразователи на их основе. Цель работы - разработка метода синтеза полупроводникового материала с промежуточной зоной и фотопреобразователей солнечной энергии на основе наногетероструктур Ge-Si с широкой спектральной характеристикой. Ожидаемые результаты: разработка технологических основ воспроизводимого синтеза наноструктур Si-Ge; Разраработка методик измерения характеристик фотопреобразователя с квантовыми точками.Тематика работы тесно связана с важным направлением - материаловедение для солнечной энергии.
Тип НИР Источник финансирования Объем финансирования Вид работы
ФЦП 1006600 Федеральное агентство по образованию Фундаментальная
Промежуточный реферат №1
Объектом исследования являются Si-Ge наноструктуры и фотопреобразователи на их основе. Цель работы- разработка метода синтеза полупроводникового материала с промежуточной зоной и фотопреобразователей солнечной энергии на основе наногетероструктур Ge-Si с широкой спектральной характеристикой. В отчете представлены результаты аналитического обзора: анализ возможности создания наногетероструктур, как материала с промежуточной зоной на основе плотного массива квантовых точек германия в кремнии; анализ преимуществ фотопреобразователей на основе Ge-Si наногетероструктур на основе материала с промежуточной зоной, по сравнению с существующими аналогами; оценка экономической эффективности от внедрения фотопреобразователей на основе Ge-Si наноструктур в системы преобразования солнечного света и теплового излучения в электричество. Проведены патентные исследования по технологии получения нового полупроводникового материала с промежуточной зоной и по созданию фотопреобразователей солнечной энергии на основе наногетероструктур Ge-Si. Разработан метод синтеза полупроводникового материала на основе наногетероструктур с квантовыми точками германия в кремнии. Разработаны методы увеличения плотности и уменьшения разброса по размерам квантовых точек. Разработаны методики проведения экспериментальных исследований характеристик наногетероструктур Ge-Si с квантовыми точками. Разработан уточненный план проведения теоретических и экспериментальных исследований по обоснованию выбранного метода получения фотопреобразователей солнечной энергии на основе наногетероструктур Ge-Si с широкой спектральной характеристикой.
Инвентарный номер отчета (ИК): 02201050421 Дата регистрации ИК: 2010-01-21
Промежуточный реферат №2
ОТЧЕТ О ПАТЕНТНЫХ ИССЛЕДОВАНИЯХ Патентные исследования проводились для технологии разработки базовых методов синтеза полупроводникового материала с промежуточной зоной на основе наногетероструктур с квантовыми точками германия в кремнии. Общее количество отобранных документов по РФ за период 1991-2009 гг. составляет 56: среди них 35 патентов относятся к полупроводниковому материалу на основе наногетероструктур Ge-Si и технологии его получения, 21 патент относятся к применениям данного материала в различных приборах. Также была отобрана научно-техническая документация. В ходе проведения исследований на патентную чистоту результат проверки показал, что исследуемый объект обладает патентной чистотой и не подпадает под действие патентов на изобретения, полезные модели и промышленные образцы третьих лиц. В общем, рынок России в отношении методов синтеза полупроводникового материала с промежуточной зоной на основе наногетероструктур с квантовыми точками германия в кремнии по исследуемой тематике является свободным, учитывая, что отдельно была проработана патентная документация по различным объектам. На международном рынке было отобрано 25 патентов. Основными факторами на рынке являются компании и фирмы Кореи, США, Европы, в РФ данной тематикой большей частью большей частью занимаются различные институты и научные организации.
Инвентарный номер отчета (ИК): 02201050419 Дата регистрации ИК: 2010-01-21
Заключительный реферат
Объектом исследования являются Si-Ge наноструктуры. Цель работы – Разработка метода синтеза полупроводникового материала с промежуточной зоной и фотопреобразователей солнечной энергии на основе наногетероструктур Ge-Si с широкой спектральной характеристикой. Поставленные в НИР задачи на данном этапе решались путем проведения сравнение расчетных и экспериментальных результатов исследований характеристик фотопреобразователей и установления основных закономерностей, связывающих технологические параметры и выходные характеристики фотопреобразователей. В ходе выполнения исследовательской работы по проекту были получены следующие научные результаты: 1. Откорректированная физико-математическая модель формирования спектральных характеристик наногетероструктур Ge-Si с квантовыми точками. 2. Оптимизированная лабораторная технология управляемого синтеза полупроводниковых наногетероструктур на основе кремния с квантовыми точками германия нанометровых размеров. 3. Рекомендации по возможности использования результатов проведенных НИР в реальном секторе экономики. 4. Программа внедрения результатов НИР в образовательный процесс.
Инвентарный номер отчета (ИК): 02201161126 Дата регистрации ИК: 2011-10-03
Заказчик
Федеральное агентство по образованию, ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 2009-2013 годы», Мероприятие 1.2.1 «Проведение научных исследований научными группами под руководством докторов наук», Конкурс НК-64П «Проведение поисковых научно-исследовательских работ по направлению «Новые и возобновляемые источники энергии» в рамках мероприятия 1.2.1 Программы», ГК № П 234 от 23 июля 2009 г.
ГРНТИ УДК Инвентарный номер Госшифр Госконтракт Договор
29.03.21 ( ФИЗИКА. Общие проблемы физического эксперимента. Тепловые измерения в физическом эксперименте. )
29.19.22 ( ФИЗИКА. Физика твердых тел. Физика наноструктур. Низкоразмер-ные структуры. Мезоскопические структуры. )
29.19.31 ( ФИЗИКА. Физика твердых тел. Полупроводники. )
29.31.27 ( ФИЗИКА. Оптика. Взаимодействие оптического излучения с веществом. )
621.31:535.215; 498501 П234
Ключевые слова
квантовые точки, наноструктуры, полупроводники с промежуточной зоной, фотопреобразователи, солнечные элементы, синтез многослойных структур
Предполагаемый результат работы
Отчет
Организации соисполнители
Государственный учет результатов НИОКР в БД РНТД Минобрнауки РФ
Получить полный доступ
Основание к регистрации темы (электронный вариант)
Только для служебного пользования
   
2007 © ОНТИ НУ ТГУ
E-mail: onti@sun.lib.tsu.ru
Тел: 52-76-99