Логин:
Пароль:

Работа №1477
Название работы
Создание полуизолирующего арсенида галлия, модифицированного примесными нанокластерами
Автор работы
Новиков Владимир Алексанрович
Дата начала работы Дата окончания работы
2009-08-20 2011-07-30
Аннотация
ЦЕЛЬ РАБОТЫ:Создание полуизолирующего арсенида галлия, модифицированного примесными нанокластерами. ОБЛАСТЬ ПРИМЕНЕНИЯ:Полуизолирующий арсенид галлия, модифицированный примесными нанокластерами, может быть использован как для создания элементов электронной компонентной базы функциональной и квантово-чувствительной сенсорной электроники нового поколения, в частности, шайбы высокоомного GaAs будут использованы в технологическом процессе формирования СВЧ МИС, так и в качестве активного элемента детекторов ионизирующих излучений в дискретном и в интегральном исполнении, при создании радиационностойких координатных детекторов ионизирующих излучений на основе многослойных GaAs наноструктур. Результаты НИР найдут применение в области цифровых информационных и диагностических систем малодозовой радиографии, при разработке специализированного оборудования для научных исследований в области рентгеновской микротомографии и рентгенофлуоресцентного анализа, спектрометрии рентгеновского импульсного излучении; при создании специализированной исследовательской аппаратуры для биомедицинских технологий, ядерной физики и физики высоких энергий, например международный проект создания рентгеновского лазера на свободных электронах "XFEL.
Тип НИР Источник финансирования Объем финансирования Вид работы
ФЦП 1006600 Федеральное агентство по образованию Фундаментальная
Промежуточный реферат №1
Объектом исследования является полуизолирующий арсенид галлия, формируемый легированием исходного материала нанокластерами хрома. Целью проекта на данном этапе являлись выбор метода модификации свойств проводящего GaAs и определение условий формирования полуизолирующего GaAs. Проведен анализ современных концепций модификации свойств полупроводниковых материалов показано, что получить полуизолирующий GaAs со свойствами, необходимыми для изготовления детекторов ионизирующих излучений, для использования в микроэлектронике в качестве подложечного материала можно диффузией хрома. Рассмотрены особенности диффузии хрома в арсенид галлия в открытой системе, определены диффузионные константы процесса. Изучены особенности распределения концентрации свободных электронов в монокристаллах GaAs разрушающими и неразрушающими способами. Исследованы свойства металлических контактов к высокоомному арсениду галлия, легированному нанокластерами хрома, установлена их барьерная природа и оценена высота барьера. Изучены особенности поведения точечного контакта к GaAs, компенсированному хромом. Разработана методика неразрушающего контроля наноструктур полуизолирующего GaAs. Результаты работы по 1ому этапу НИР будут использованы при отработке технологии производства высокоомного GaAs, легированного нанокластерами хрома и исследованиях физических свойств материала.
Инвентарный номер отчета (ИК): 02200953970 Дата регистрации ИК: 2009-11-30
Промежуточный реферат №2
Цель работы - Разработка оригинальной технологии компенсации слоёв GaAs электронного типа проводимости нанокластерами либо глубокой акцепторной примесью хрома в процессе диффузии. На втором этапе использовались аналитические и экспериментальные методы выполнения работ: анализ существующих методов создания полуизолирующего арсенида галлия приборного качества и возможностей альтернативной реализации этой задачи; экспериментальное изготовление GaAs-структур, компенсированных примесными нанокластерами, и исследование их физических свойств. Решены задачи, связанные с легированием и компенсацией арсенида галлия примесями с глубокими уровнями. Показано, что при определённых технологических условиях легирование примесями сопровождается кластерообразованием в объёме полупроводниковой структуры, что обуславливает управляемую модификацию свойств легированного материала. Установлены экспериментальные закономерности формирования нанокластеров в матрице кристалла и их влияние на свойства полуизолирующего материала. За счёт управления этим процессом была создана не имеющая мировых аналогов технология формирования объёмных полупроводниковых структур, модифицированных примесными нанокластерами, которые могут быть использованы для создания элементов и устройств функциональной электроники нового поколения.
Инвентарный номер отчета (ИК): 02201160495 Дата регистрации ИК: 2011-09-02
Заключительный реферат
Объектом исследований являлся полуизолирующий арсенид галлия, модифицированный примесными нанокластерами. Цель работы. Сопоставление и обобщение результатов анализа научно-информационных источников и теоретических и экспериментальных исследований. Изготовление и испытания опытных образцов подложек и макетных образцов. При выполнении работ использовались аналитические и экспериментальные методы выполнения работ: анализ научно-информационных источников и оригинальных теоретических и экспериментальных исследований; изготовление опытных образцов подложек и макетных образцов. Основные результаты 3 этапа: -решены задачи, связанные с созданием не имеющей мировых аналогов технологии формирования объёмных полупроводниковых структур, которые могут быть использованы для создания элементов и устройств функциональной электроники нового поколения с характеристиками: удельное сопротивление > 1 ГОм х см; время жизни > 50 нс; дрейфовая длина > 1 мм. Результаты работы будут использованы: -в совместных с ИФВЭ (Протвино, Моск.обл.) разработках коммерческих детекторов для проектов ATLAS и CMS at LHC (ЦЕРН, Швейцария); -в совместных с ОИЯИ (Дубна, Моск.обл.) разработках матричных детекторов большой площади для участия в тендере крупнейшего (1,5 млрд. Евро) международного проекта XFEL (DESY, Германия).
Инвентарный номер отчета (ИК): 02201160855 Дата регистрации ИК: 2011-09-21
Заказчик
Федеральное агентство по образованию, ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 2009-2013 годы», Мероприятие 1.2.2. Проведение научных исследований научными группами под руководством кандидатов наук, Конкурс НК-133П «Проведение поисковых научно-исследовательских работ по направлению «Создание и обработка кристаллических материалов» в рамках мероприятия 1.2.2. Программы», ГК № П988 от 20.08.2009 г
ГРНТИ УДК Инвентарный номер Госшифр Госконтракт Договор
29.19.31 ( ФИЗИКА. Физика твердых тел. Полупроводники. )
29.19.16 ( ФИЗИКА. Физика твердых тел. Физика тонких пленок. Поверхности и границы раздела. )
621.382.2; 491841 П988
Ключевые слова
арсенид галлия, монокристалл, диффузия, компенсация, нанокластер, полуизолирующий материал
Предполагаемый результат работы
Отчет
Организации соисполнители
Государственный учет результатов НИОКР в БД РНТД Минобрнауки РФ
Получить полный доступ
Основание к регистрации темы (электронный вариант)
Только для служебного пользования
   
2007 © ОНТИ НУ ТГУ
E-mail: onti@sun.lib.tsu.ru
Тел: 52-76-99