Логин:
Пароль:

Работа №1456
Название работы
Физические основы технологии создания фотопреобразователей солнечной энергии на основе нано-гетероструктур A4B4 и A2B6
Автор работы
Григорьев Денис Валерьевич
Дата начала работы Дата окончания работы
2009-09-15 2011-07-30
Аннотация
Цель работы – анализ возможности путей создания наногетероструктур на основе соединений A4B4 и A2B6, в том числе и как материала с промежуточной зоной, и фотопреобразователей на их основе. Объектом исследования являются наногетероструктуры на основе соединений A4B4 и A2B6 и фотопреобразователи на их основе.ОЖИДАЕМЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ:1. Физико-математическая модель формирования спектральных характеристик наногетероструктур на основе соединений A4B4 и A2B6, в том числе и как материала с промежуточной зоной, рабочих параметров фотопреобразователей на их основе. 2.Экспериментальные результаты исследования спектральных характеристик наногетероструктур на основе соединений A4B4 и A2B6 и рабочих параметров макетных образцов фотопреобразователей. 3. Рекомендации по использованию результатов проведенных исследований в технологии создания эффективных фотопреобразователей солнечной энергии. 4. Программа внедрения результатов НИР в образовательный процесс. Результаты НИР могут быть использованы при разработке технологий создания модулей фото- и теплофотогенераторов для индивидуальных пользователей, автономных систем связи и телеметрии, а также для создания энергетических систем космического базирования.
Тип НИР Источник финансирования Объем финансирования Вид работы
ФЦП 1006600 Федеральное агентство по образованию Фундаментальная
Промежуточный реферат №1
Объектом исследования являются наногетероструктуры на основе соединений А4В4 и А2В и фотопреобразователи на их основе. Цель работы - анализ возможности путей создания наногетероструктур на основе соединений А В и А В , в том числе и как материала с промежуточной зоной, и фотопреобразователей на их основе. В результате исследований проведен анализ научно-технической литературы по созданию наногетероструктур соединений А В и А В , как материала с промежуточной зоной. Проведен анализ преимуществ фотопреобразователей на основе соединений А В и А В , в том числе и как материала с промежуточной зоной, по сравнению с существующими аналогами. Проведена оценка экономической эффективности от внедрения подобных фото преобразователей в системы преобразования солнечного света и теплового излучения в электричество. Результаты аналитического обзора, анализа преимуществ фотопреобразователей на основе соединений А В и А В , в том числе и как материала с промежуточной зоной, по сравнению с существующими аналогами, оценки экономической эффективности от внедрения подобных фотопреобразователей определили обоснованный вариант направления исследований. Проведены патентные исследования. Патентный отчет, проведенный по ГОСТ Р15.011-96, прилагается к отчету по НИР. Разработаны методики проведения экспериментальных исследований электрофизических, оптических и фотоэлектрических характеристик наногетероструктур на основе соединений А4В4 и А2В6. В процессе разработки методики электрофизических измерений было проведено исследование влияния варизонных слоев на электрофизические характеристики эпитаксиальных пленок соединений А2В6 на примере СсШ^Те и разработана физико-математическая модель влияния варизонных слоев на результаты измерения электрофизических характеристик эпитаксиальных пленок Разработан уточненный план проведения дальнейших теоретических и экспериментальных исследований по обоснованию выбранных методов изучения физических основ технологии создания фотопреобразоватслей солнечной энергии на основе наногетероструктур А4В4 и А2В6.
Инвентарный номер отчета (ИК): 02201050414 Дата регистрации ИК: 2010-01-21
Промежуточный реферат №2
ОТЧЕТ О ПАТЕНТНЫХ ИССЛЕДОВАНИЯХ Патентные исследования проводились для технологии разработки базовых методов синтеза полупроводниковых материалов на основе наногетероструктур соединений А4В4 и А2В6. Результат проверки показал, что исследуемый объект обладает патентной чистотой и не подпадает под действие патентов третьих лиц. Рынок России в отношении методов синтеза полупроводниковых материалов на основе наногетероструктур по исследуемой тематике является свободным, учитывая, что отдельно была проработана патентная документация по различным объектам. С одной стороны, это говорит в пользу создания продукции и технологии, выхода с ней на рынок и захвата ключевых позиций, а с другой стороны выявленная патентная ситуация вызывает сомнение в наличие спроса на разработки по данной тематике. Основными акторами на рынке являются компании и фирмы Японии, США, Европы, в Российской федерации данной тематикой большей частью занимаются различные институты и научные организации.
Инвентарный номер отчета (ИК): 02201050411 Дата регистрации ИК: 2010-01-21
Промежуточный реферат №3
Объектом исследования являются наногетероструктуры на основе соединений A4B4 и A2B6 и фотопреобразователи на их основе. Цель работы – анализ возможности путей создания наногетероструктур на основе соединений A4B4 и A2B6, в том числе и как материала с промежуточной зоной, и фотопреобразователей на их основе. Второй этап проведения исследований по проекту заключался в установлении основных закономерностей, связывающих параметры модельного расчета и экспериментальные данные, включающие разработку и исследование физико-математической модели формирования спектральных характеристик наногетероструктур на основе соединений A4B4 и A2B6, в том числе и как материала с промежуточной зоной, и исследование лабораторных макетов фотопреобразователей солнечного излучения. В соответствии с календарным планом НИР составлен аналитический отчет о проведении теоретических и экспериментальных исследований. Проведена систематизация и предварительная оценка полученных результатов, оценка полноты решения задач и достижения поставленных целей, проведено сопоставление и обобщение результатов анализа научно-информационных источников и теоретических и экспериментальных исследований, а также оценка эффективности полученных результатов в сравнении с современным научно-техническим уровнем. Разработаны рекомендации по использованию результатов НИР в реальном секторе экономики и при создании научно-образовательных курсов.
Инвентарный номер отчета (ИК): 02201056822 Дата регистрации ИК: 2010-10-19
Заключительный реферат
Объектом исследования являются наногетероструктуры на основе соединений A4B4 и A2B6 и фотопреобразователи на их основе. Цель работы – анализ возможности путей создания наногетероструктур на основе соединений A4B4 и A2B6, в том числе и как материала с промежуточной зоной, и фотопреобразователей на их основе. Третий этап проведения исследований по проекту заключался в сопоставлении и обобщении результатов анализа научно-информационных источников и теоретических и экспериментальных исследований, включающие корректировку и исследование физико-математической модели формирования спектральных характеристик наногетероструктур на основе соединений A4B4 и A2B6, в том числе и как материала с промежуточной зоной. В соответствии с календарным планом НИР проведено сравнение расчетных и экспериментальных результатов исследований характеристик фотопреобразователей, проведена корректировка физико-математической модели формирования спектральных характеристик фотопреобразователей, установлена связь электрических и оптических параметров наногетероструктур с предельными характеристиками фотопреобразователей на их основе, проведены дополнительные верификационные экспериментальные исследования характеристик макетов фотопреобразователей. По результатам научных исследований, полученным на всех трех этапах выполнения проекта, проведена систематизация и оценка полученных результатов, оценка полноты решения задач и достижения поставленных целей, проведено сопоставление и обобщение результатов анализа научно-информационных источников и теоретических и экспериментальных исследований, а также оценка эффективности полученных результатов в сравнении с современным научно-техническим уровнем. Разработаны рекомендации по использованию результатов НИР в реальном секторе экономики и рекомендации по использованию их в учебном процессе при модернизации и разработки новых разделов лекционных курсов и лабораторных работ на радиофизическом факультете Томского государственного университета.
Инвентарный номер отчета (ИК): 02201160856 Дата регистрации ИК: 2011-09-21
Заказчик
ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 2009-2013 годы» Мероприятие 1.2.2. Проведение научных исследований научными группами под руководством кандидатов наук, направление 1 "Стимулирование закрепления молодежи в сфере науки, образования и высоких технологий, Конкурс НК-149П «Проведение поисковых научно-исследовательских работ по направлению «Новые и возобновляемые источники энергии» в рамках мероприятия 1.2.2. Программы», № ГК П1662 от 15 сентября 2009г.
ГРНТИ УДК Инвентарный номер Госшифр Госконтракт Договор
44.41.35 ( ЭНЕРГЕТИКА. Прямое преобразование энергии. Установки прямого преобразования энергии светового излучения в электрическую. )
29.19.31 ( ФИЗИКА. Физика твердых тел. Полупроводники. )
29.19.22 ( ФИЗИКА. Физика твердых тел. Физика наноструктур. Низкоразмер-ные структуры. Мезоскопические структуры. )
621.31:535.215; 537.311.322; 539.23; 539.216.1; 484848 П1662
Ключевые слова
соединения А2В2 и А2В6, квантовые точки, наноструктуры, полупроводники с промежуточной зоной, солнечные элементы
Предполагаемый результат работы
Отчет
Организации соисполнители
Государственный учет результатов НИОКР в БД РНТД Минобрнауки РФ
Получить полный доступ
Основание к регистрации темы (электронный вариант)
Только для служебного пользования
   
2007 © ОНТИ НУ ТГУ
E-mail: onti@sun.lib.tsu.ru
Тел: 52-76-99