Логин:
Пароль:

Работа №1409
Название работы
Дефекты структуры и электронные свойства полупроводниковых нитридов группы A(3)N:(BN,AlN,GaN,InN)
Автор работы
Брудный Валентин Натанович
Дата начала работы Дата окончания работы
2009-01-01 2009-12-31
Аннотация
Цель работы:Дефекты структуры и электронные свойства полупроводниковых нитридов группы A(3)N:(BN,AlN,GaN,InN). Исследование влияния собственных дефектов структуры на электронные характеристики полупроводниковых нитридов группы Исследование влияния собственных дефектов структуры на электронные характеристики полупроводниковых нитридов группы и изучение возможности управления свойствами данных соединений при изменении их дефектности. Ожидаемые результаты:Электронные свойства нитридов группы A(3)N:(BN,AlN,GaN,InN) при насыщении их собственными дефектами структуры; "предельные" электрофизические параметры; расчетное значение энергетического положения собственного уровня локальной зарядовой нейтральности в нитридах А(3)N.
Тип НИР Источник финансирования Объем финансирования Вид работы
Получить полный доступ Получить полный доступ Получить полный доступ Получить полный доступ
Заказчик
Получить полный доступ
ГРНТИ УДК Инвентарный номер Госшифр Госконтракт Договор
Получить полный доступ Получить полный доступ Получить полный доступ Получить полный доступ Получить полный доступ Получить полный доступ
Ключевые слова
полупроводниковые нитриды, собственные дефекты структуры, легирование, электронные свойства, уровень локальной зарядовой нейтральности
Предполагаемый результат работы
Получить полный доступ
Организации соисполнители
Получить полный доступ
Государственный учет результатов НИОКР в БД РНТД Минобрнауки РФ
Получить полный доступ
Основание к регистрации темы (электронный вариант)
Только для служебного пользования
   
2007 © ОНТИ НУ ТГУ
E-mail: onti@sun.lib.tsu.ru
Тел: 52-76-99