Логин:
Пароль:

Работа №1320
Название работы
Высокочастотный фотоприемник на основе многослойной гетероструктуры Ge/Si
Автор работы
Ивонин Иван Варфоломеевич
Дата начала работы Дата окончания работы
2009-01-01 2011-12-31
Аннотация
Особенности электронной структуры квантовых точек в полупроводниках открывает широкие перспективы их использования в оптоэлектронике при разработке оптических систем: высокочувствительных фотодетекторов, оптических излучателей и модуляторов.Цели и задачи проекта: Проект направлен на разработку высокочастотного фотоприемника на основе многослойных структур "кремний с квантовыми точками из атомов германия", полученными из молекулярных пучков. Проектом предусматривается изготовление кванто-размерных структур Ge/Si и развитие экспериментальных и теоретических методов исследования их электронных и оптических характеристик. Планируемая реализация результатов проекта:Разработанная технология изготовления фотоприемных устройств на основе плотного однородного массива квантовых точек Ge/Si найдет применение при проведении ОТР(ОКР)Результаты работы будут использованы при подготовке молодых специалистов, аспирантов и докторантов в области физики и технологии низкоразмерных полупроводниковых структур.Результаты исследований будут использованы для повышения уровня преподавательских кадров и разработки новых курсов в области физики низкоразмерных полупроводниковых структур. Результаты теоретических исследований электронной структуры и оптических свойств структур Ge/Si будут способствовать углублению физической картины низкоразмерных полупроводниковых структур.
Тип НИР Источник финансирования Объем финансирования Вид работы
Получить полный доступ Получить полный доступ Получить полный доступ Получить полный доступ
Заказчик
Получить полный доступ
ГРНТИ УДК Инвентарный номер Госшифр Госконтракт Договор
Получить полный доступ Получить полный доступ Получить полный доступ Получить полный доступ Получить полный доступ Получить полный доступ
Ключевые слова
высокочастотного фотоприемника, многослойных структур, квантово-размерные структуры Ge/Si
Предполагаемый результат работы
Получить полный доступ
Организации соисполнители
Получить полный доступ
Государственный учет результатов НИОКР в БД РНТД Минобрнауки РФ
Получить полный доступ
Основание к регистрации темы (электронный вариант)
Только для служебного пользования
   
2007 © ОНТИ НУ ТГУ
E-mail: onti@sun.lib.tsu.ru
Тел: 52-76-99