Логин:
Пароль:

Работа №1206
Название работы
Исследование зонной диаграммы наноструктур и свойств границы раздела защитный диэлектрик-генетроэпитаксиальный полупроводник КРТ
Автор работы
Войцеховский Александр Васильевич
Дата начала работы Дата окончания работы
2007-08-01 2008-10-31
Аннотация
Проект направлен на создание фундаментальных основ и разработку технических решений по расчету зонной диаграммы наноструктур КРТ и созданию защитных покрытий фотоприемных элементов на их основе.-Разработка методики исследования свойств границ раздела КРТ-защитный диэлектрик для пасивации поверхности НГЭС КРТ МЛЭ.-Проведение исследований свойств границ раздела КРТ-защитный диэлектрик для пассивации поверхности НГЭС КРТ МЛЭ.-проведение расчетов и построение зонной диаграммы наноструктур КРТ для оптимизации НГЭС КРТ МЛЭ.-Выбор и оптимизация свойств защитных покрытий НГЭС КРТ МЛЭ фотоприемных элементов.
Тип НИР Источник финансирования Объем финансирования Вид работы
Получить полный доступ Получить полный доступ Получить полный доступ Получить полный доступ
Заказчик
Получить полный доступ
ГРНТИ УДК Инвентарный номер Госшифр Госконтракт Договор
Получить полный доступ Получить полный доступ Получить полный доступ Получить полный доступ Получить полный доступ Получить полный доступ
Ключевые слова
Предполагаемый результат работы
Получить полный доступ
Организации соисполнители
Получить полный доступ
Государственный учет результатов НИОКР в БД РНТД Минобрнауки РФ
Получить полный доступ
Основание к регистрации темы (электронный вариант)
Только для служебного пользования
   
2007 © ОНТИ НУ ТГУ
E-mail: onti@sun.lib.tsu.ru
Тел: 52-76-99